MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR - IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Número de pieza del fabricante

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Número interno de parte

ABC-MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

108392 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR4

Tamaño de la memoria : 32Gb (512M x 64)

Frecuencia de reloj : 1866MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : -

Suministro de voltaje : 1.1V

Temperatura de funcionamiento : -30°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje : -

Paquete / Caja : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MT53D512M6 , MT53D512M64D4RQ

Documentos para MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Hojas de datos : MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR.pdf

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