IXFN170N10 - MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Número de pieza del fabricante

IXFN170N10

Número interno de parte

ABC-IXFN170N10

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

85600 Pieces

Precio de referencia

~~USD 17.473~~

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Especificaciones para IXFN170N10

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFN170N10

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Serie : HiPerFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 170A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 515nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10300pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 600W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227B

Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXFN170N10

Hojas de datos : IXFN170N10.pdf

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