VS-FC80NA20 - MOSFET N-CH 200V 108A

Número de pieza del fabricante

VS-FC80NA20

Número interno de parte

ABC-VS-FC80NA20

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 108A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

42042 Pieces

Precio de referencia

~~USD 14.450345~~

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Especificaciones para VS-FC80NA20

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : VS-FC80NA20

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : MOSFET N-CH 200V 108A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 108A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 161nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10720pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 405W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227

Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para VS-FC80NA20

Hojas de datos : VS-FC80NA20.pdf

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