CSD17308Q3T - MOSFET N-CH 30V 50A

Número de pieza del fabricante

CSD17308Q3T

Número interno de parte

ABC-CSD17308Q3T

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 50A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1213114 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para CSD17308Q3T

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD17308Q3T

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET N-CH 30V 50A

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 14A (Ta), 44A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.3 mOhm @ 10A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 4.5V

Vgs (Max) : +10V, -8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 700pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.7W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : CSD17308Q3T.pdf

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