SI3459BDV-T1-GE3 - MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2242870 Pieces
Precio de referencia
USD 0.14594
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Especificaciones para SI3459BDV-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI3459BDV-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 216 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 350pF @ 30V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP
Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : SI345 , SI3459BD

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Hojas de datos : SI3459BDV-T1-GE3.pdf

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