AOTF10N65 - MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

Número de pieza del fabricante

AOTF10N65

Número interno de parte

ABC-AOTF10N65

Fabricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

890673 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para AOTF10N65

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AOTF10N65

Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1645pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 50W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-3F

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para AOTF10N65

Hojas de datos : AOTF10N65.pdf

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