AUIRF7343QTR - MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

AUIRF7343QTR

Número interno de parte

ABC-AUIRF7343QTR

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

777623 Pieces

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Especificaciones para AUIRF7343QTR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AUIRF7343QTR

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.7A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 740pF @ 25V

Potencia - max : 2W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : AUIRF7343QTR.pdf

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