RS1JLHRTG - DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Número de pieza del fabricante

RS1JLHRTG

Número interno de parte

ABC-RS1JLHRTG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

14003199 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.023375~~

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Especificaciones para RS1JLHRTG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RS1JLHRTG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 800mA

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 800mA

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 250ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-219AB

Paquete del dispositivo del proveedor : Sub SMA

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RS1JLHRTG

Hojas de datos : RS1JLHRTG.pdf

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