BAS316,H3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Número de pieza del fabricante

BAS316,H3F

Número interno de parte

ABC-BAS316,H3F

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21393792 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.0153~~

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Especificaciones para BAS316,H3F

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BAS316,H3F

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 250mA

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.25V @ 150mA

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 3ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 200nA @ 80V

Capacitancia a Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : SC-76, SOD-323

Paquete del dispositivo del proveedor : USC

Temperatura de funcionamiento - Unión : 150°C (Max)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BAS316,H3F

Hojas de datos : BAS316,H3F.pdf

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