AS4C64M8SA-7TCN - IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
92728 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para AS4C64M8SA-7TCN

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : AS4C64M8SA-7TCN
Fabricante : Alliance Memory, Inc.
Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM
Tamaño de la memoria : 512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj : 133MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -
Tiempo de acceso : 5.4ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 54-TSOP II
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : AS4C6 , AS4C64M

Documentos para AS4C64M8SA-7TCN

Hojas de datos : AS4C64M8SA-7TCN.pdf

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