R6030ENZ1C9 - MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Número de pieza del fabricante

R6030ENZ1C9

Número interno de parte

ABC-R6030ENZ1C9

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

132888 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.815~~

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Especificaciones para R6030ENZ1C9

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : R6030ENZ1C9

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2100pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 120W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para R6030ENZ1C9

Hojas de datos : R6030ENZ1C9.pdf

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