IXTA3N100D2 - MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

Número de pieza del fabricante

IXTA3N100D2

Número interno de parte

ABC-IXTA3N100D2

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

187040 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IXTA3N100D2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTA3N100D2

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 37.5nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1020pF @ 25V

Característica FET : Depletion Mode

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263 (IXTA)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXTA3N100D2

Hojas de datos : IXTA3N100D2.pdf

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