DMT6018LDR-13 - MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Número de pieza del fabricante

DMT6018LDR-13

Número interno de parte

ABC-DMT6018LDR-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2626680 Pieces

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Especificaciones para DMT6018LDR-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMT6018LDR-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 869pF @ 30V

Potencia - max : 1.9W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : V-DFN3030-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMT6018LDR-13

Hojas de datos : DMT6018LDR-13.pdf

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