IXTH21N50Q - MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

Número de pieza del fabricante

IXTH21N50Q

Número interno de parte

ABC-IXTH21N50Q

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

40287 Pieces

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Especificaciones para IXTH21N50Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTH21N50Q

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

Serie : HiPerFET™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 500V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4200pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 300W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247AD (IXTH)

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IXT , IXTH2

Documentos para IXTH21N50Q

Hojas de datos : IXTH21N50Q.pdf

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