TK33S10N1Z,LQ - MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Número de pieza del fabricante

TK33S10N1Z,LQ

Número interno de parte

ABC-TK33S10N1Z,LQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1027705 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.3185~~

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Especificaciones para TK33S10N1Z,LQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK33S10N1Z,LQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 33A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2050pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK+

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TK33 , TK33S1

Documentos para TK33S10N1Z,LQ

Hojas de datos : TK33S10N1Z,LQ.pdf

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