FQU12N20TU - MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Número de pieza del fabricante

FQU12N20TU

Número interno de parte

ABC-FQU12N20TU

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1146775 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.28543~~

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Especificaciones para FQU12N20TU

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQU12N20TU

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 910pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I-PAK

Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FQU12N20TU

Hojas de datos : FQU12N20TU.pdf

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