DMN2016UTS-13 - MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Número de pieza del fabricante

DMN2016UTS-13

Número interno de parte

ABC-DMN2016UTS-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2643438 Pieces

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Especificaciones para DMN2016UTS-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMN2016UTS-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.58A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1495pF @ 10V

Potencia - max : 880mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSSOP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : DMN2 , DMN201

Documentos para DMN2016UTS-13

Hojas de datos : DMN2016UTS-13.pdf

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