EPC2100ENG - GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Número de pieza del fabricante

EPC2100ENG

Número interno de parte

ABC-EPC2100ENG

Fabricante

EPC

Breve descripción

GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52884 Pieces

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Especificaciones para EPC2100ENG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EPC2100ENG

Fabricante : EPC

Descripción : GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Característica FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Potencia - max : -

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : Die

Paquete del dispositivo del proveedor : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : EPC2100ENG.pdf

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