APTSM120AM55CT1AG - POWER MODULE - SIC

Número de pieza del fabricante

APTSM120AM55CT1AG

Número interno de parte

ABC-APTSM120AM55CT1AG

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

POWER MODULE - SIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

33507 Pieces

Precio de referencia

~~USD 71.0272~~

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Especificaciones para APTSM120AM55CT1AG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APTSM120AM55CT1AG

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : POWER MODULE - SIC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Característica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 2mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 272nC @ 20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5120pF @ 1000V

Potencia - max : 470W

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : SP1

Paquete del dispositivo del proveedor : SP1

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APTSM , APTSM120

Documentos para APTSM120AM55CT1AG

Hojas de datos : APTSM120AM55CT1AG.pdf

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