TK65E10N1,S1X - MOSFET N CH 100V 148A TO220

Número de pieza del fabricante

TK65E10N1,S1X

Número interno de parte

ABC-TK65E10N1,S1X

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N CH 100V 148A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

246099 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.33~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

ABC Semiconductor tiene TK65E10N1,S1X en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para TK65E10N1,S1X. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para TK65E10N1,S1X

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK65E10N1,S1X

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N CH 100V 148A TO220

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 148A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5400pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 192W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TK65 , TK65E1

Documentos para TK65E10N1,S1X

Hojas de datos : TK65E10N1,S1X.pdf

Productos relacionados para TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	Marca	Descripción
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8400PF 18KV.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 20KV SCREW.
WI140266WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 18KV SCREW.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3300PF 100V BX 0805.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 1000PF 100V BP 1206.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2200PF 14KV.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10PF 100V BP 0805.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV SCREW.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3000PF 50V BP 1210.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 20KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV SCREW.