TPN1R603PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1243627 Pieces
Precio de referencia
USD 0.2632
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Especificaciones para TPN1R603PL,L1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : TPN1R603PL,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSIX-H
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3900pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 175°C
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : TPN1 , TPN1R60

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Hojas de datos : TPN1R603PL,L1Q.pdf

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