TPN1R603PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza del fabricante

TPN1R603PL,L1Q

Número interno de parte

ABC-TPN1R603PL,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1243627 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.2632~~

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Especificaciones para TPN1R603PL,L1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPN1R603PL,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Serie : U-MOSIX-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 300µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3900pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TPN1R603PL,L1Q

Hojas de datos : TPN1R603PL,L1Q.pdf

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