JAN1N5553US - DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Número de pieza del fabricante

JAN1N5553US

Número interno de parte

ABC-JAN1N5553US

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

67353 Pieces

Precio de referencia

~~USD 9.02275~~

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Especificaciones para JAN1N5553US

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : JAN1N5553US

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Serie : Military, MIL-PRF-19500/420

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 800V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 9A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 2µs

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 800V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : SQ-MELF, B

Paquete del dispositivo del proveedor : D-5B

Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para JAN1N5553US

Hojas de datos : JAN1N5553US.pdf

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