APT25SM120B - POWER MOSFET - SIC

Número de pieza del fabricante

APT25SM120B

Número interno de parte

ABC-APT25SM120B

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

POWER MOSFET - SIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

94304 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para APT25SM120B

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APT25SM120B

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : POWER MOSFET - SIC

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 25A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 10A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 20V

Vgs (Max) : +25V, -10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 175W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APT , APT25

Documentos para APT25SM120B

Hojas de datos : APT25SM120B.pdf

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