RQ3E080GNTB - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Número de pieza del fabricante

RQ3E080GNTB

Número interno de parte

ABC-RQ3E080GNTB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

5290096 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RQ3E080GNTB

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RQ3E080GNTB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.7 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 295pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2W (Ta), 15W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-HSMT (3.2x3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RQ3E080GNTB

Hojas de datos : RQ3E080GNTB.pdf

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