1N5406G B0G - DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Número de pieza del fabricante

1N5406G B0G

Número interno de parte

ABC-1N5406G B0G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

8118173 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.04032~~

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Especificaciones para 1N5406G B0G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1N5406G B0G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 3A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : DO-201AD, Axial

Paquete del dispositivo del proveedor : DO-201AD

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 1N5406G B0G

Hojas de datos : 1N5406G B0G.pdf

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