FCMT299N60 - MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

Número de pieza del fabricante

FCMT299N60

Número interno de parte

ABC-FCMT299N60

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

362320 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FCMT299N60

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FCMT299N60

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

Serie : SuperFET® II

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1948pF @ 380V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Power88

Paquete / Caja : 4-PowerTSFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FCMT299N60

Hojas de datos : FCMT299N60.pdf

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