BSS159N E6327 - MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

Número de pieza del fabricante

BSS159N E6327

Número interno de parte

ABC-BSS159N E6327

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

59030 Pieces

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Especificaciones para BSS159N E6327

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSS159N E6327

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 230mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 160mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 26µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 44pF @ 25V

Característica FET : Depletion Mode

Disipación de potencia (max) : 360mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSS1 , BSS159

Documentos para BSS159N E6327

Hojas de datos : BSS159N E6327.pdf

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