AS4C16M32MSA-6BIN - IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Número de pieza del fabricante

AS4C16M32MSA-6BIN

Número interno de parte

ABC-AS4C16M32MSA-6BIN

Fabricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

137256 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.03~~

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Especificaciones para AS4C16M32MSA-6BIN

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AS4C16M32MSA-6BIN

Fabricante : Alliance Memory, Inc.

Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile SDRAM

Tamaño de la memoria : 512Mb (16M x 32)

Frecuencia de reloj : 166MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 5.4ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 90-VFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 90-FBGA (8x13)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AS4C1 , AS4C16M3

Documentos para AS4C16M32MSA-6BIN

Hojas de datos : AS4C16M32MSA-6BIN.pdf

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