TK90S06N1L,LQ - MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Número de pieza del fabricante

TK90S06N1L,LQ

Número interno de parte

ABC-TK90S06N1L,LQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

719383 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.455~~

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Especificaciones para TK90S06N1L,LQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK90S06N1L,LQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 90A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5400pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 157W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252-3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TK90 , TK90S0

Documentos para TK90S06N1L,LQ

Hojas de datos : TK90S06N1L,LQ.pdf

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