TJ50S06M3L(T6L1,NQ - MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

Número de pieza del fabricante

TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Número interno de parte

ABC-TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

820358 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

Serie : U-MOSVI

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V

Vgs (Max) : +10V, -20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6290pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 90W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK+

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TJ50S0 , TJ50S06M3

Documentos para TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Hojas de datos : TJ50S06M3L(T6L1,NQ.pdf

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