BSC010NE2LSIATMA1 - MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

Número de pieza del fabricante

BSC010NE2LSIATMA1

Número interno de parte

ABC-BSC010NE2LSIATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

813841 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.40219~~

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Especificaciones para BSC010NE2LSIATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSC010NE2LSIATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 38A (Ta), 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4200pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 96W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TDSON-8

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSC01 , BSC010NE

Documentos para BSC010NE2LSIATMA1

Hojas de datos : BSC010NE2LSIATMA1.pdf

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