1SS307(TE85L,F) - DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Número de pieza del fabricante

1SS307(TE85L,F)

Número interno de parte

ABC-1SS307(TE85L,F)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6399309 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.05115~~

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Especificaciones para 1SS307(TE85L,F)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1SS307(TE85L,F)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 30V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 100mA

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 100mA

Velocidad : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 30V

Capacitancia a Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete del dispositivo del proveedor : S-Mini

Temperatura de funcionamiento - Unión : 125°C (Max)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 1SS307(TE85L,F)

Hojas de datos : 1SS307(TE85L,F).pdf

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