S1JB M4G - DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Número de pieza del fabricante

S1JB M4G

Número interno de parte

ABC-S1JB M4G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

7603358 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.04305~~

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Especificaciones para S1JB M4G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : S1JB M4G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 1A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-214AA, SMB

Paquete del dispositivo del proveedor : DO-214AA (SMB)

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para S1JB M4G

Hojas de datos : S1JB M4G.pdf

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