STI11NM80 - MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Número de pieza del fabricante

STI11NM80

Número interno de parte

ABC-STI11NM80

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

176152 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.12355~~

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Especificaciones para STI11NM80

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STI11NM80

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3

Serie : MDmesh™

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 43.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1630pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK (TO-262)

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STI11NM80

Hojas de datos : STI11NM80.pdf

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