FDB0260N1007L - MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Número de pieza del fabricante

FDB0260N1007L

Número interno de parte

ABC-FDB0260N1007L

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

191368 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.954755~~

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Especificaciones para FDB0260N1007L

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDB0260N1007L

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 118nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 8545pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263)

Paquete / Caja : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDB0260N1007L

Hojas de datos : FDB0260N1007L.pdf

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