FF23MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

Número de pieza del fabricante

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Número interno de parte

ABC-FF23MR12W1M1B11BOMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

48909 Pieces

Precio de referencia

~~USD 48.705~~

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Especificaciones para FF23MR12W1M1B11BOMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FF23MR12W1M1B11BOMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

Serie : CoolSiC™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 20mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 125nC @ 15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3950pF @ 800V

Potencia - max : 20mW

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : Module

Paquete del dispositivo del proveedor : Module

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FF23MR , FF23MR12W1

Documentos para FF23MR12W1M1B11BOMA1

Hojas de datos : FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

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