PMDPB38UNE,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Número de pieza del fabricante

PMDPB38UNE,115

Número interno de parte

ABC-PMDPB38UNE,115

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52702 Pieces

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Especificaciones para PMDPB38UNE,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMDPB38UNE,115

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 268pF @ 10V

Potencia - max : 510mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN2020-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMDP , PMDPB38

Documentos para PMDPB38UNE,115

Hojas de datos : PMDPB38UNE,115.pdf

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