A2T18S261W12NR3 - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Número de pieza del fabricante

A2T18S261W12NR3

Número interno de parte

ABC-A2T18S261W12NR3

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

44192 Pieces

Precio de referencia

~~USD 33.83772~~

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Especificaciones para A2T18S261W12NR3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : A2T18S261W12NR3

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de transistor : LDMOS

Frecuencia : 1.805GHz ~ 1.88GHz

Ganancia : 18.2dB

Voltaje - prueba : 28V

Valoración actual : 10µA

Figura de ruido : -

Corriente - Prueba : 1.5A

Salida de potencia : 280W

Tensión nominal : 65V

Paquete / Caja : OM-880X-2L2L

Paquete del dispositivo del proveedor : OM-880X-2L2L

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para A2T18S261W12NR3

Hojas de datos : A2T18S261W12NR3.pdf

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