HTMN5130SSD-13 - MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

HTMN5130SSD-13

Número interno de parte

ABC-HTMN5130SSD-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

649579 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para HTMN5130SSD-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : HTMN5130SSD-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 218.7pF @ 25V

Potencia - max : 1.7W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : HTMN , HTMN513

Documentos para HTMN5130SSD-13

Hojas de datos : HTMN5130SSD-13.pdf

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