DMNH10H028SK3Q-13 - MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Número de pieza del fabricante

DMNH10H028SK3Q-13

Número interno de parte

ABC-DMNH10H028SK3Q-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

693770 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.4718~~

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Especificaciones para DMNH10H028SK3Q-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMNH10H028SK3Q-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 55A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2245pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMNH10H028SK3Q-13

Hojas de datos : DMNH10H028SK3Q-13.pdf

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