FDMS86102LZ - MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN

Número de pieza del fabricante

FDMS86102LZ

Número interno de parte

ABC-FDMS86102LZ

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

801521 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDMS86102LZ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDMS86102LZ

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Ta), 22A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1305pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PQFN (5x6)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDMS86102LZ

Hojas de datos : FDMS86102LZ.pdf

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