BYC8B-600PJ - DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

Número de pieza del fabricante

BYC8B-600PJ

Número interno de parte

ABC-BYC8B-600PJ

Fabricante

WeEn Semiconductors

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

40443 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para BYC8B-600PJ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BYC8B-600PJ

Fabricante : WeEn Semiconductors

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 3.4V @ 8A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 18ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 20µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK

Temperatura de funcionamiento - Unión : 175°C (Max)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BYC , BYC8B

Documentos para BYC8B-600PJ

Hojas de datos : BYC8B-600PJ.pdf

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