SIZ300DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Número de pieza del fabricante

SIZ300DT-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SIZ300DT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1312017 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.24948~~

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Especificaciones para SIZ300DT-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIZ300DT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 400pF @ 15V

Potencia - max : 16.7W, 31W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PowerPair®

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIZ30 , SIZ300D

Documentos para SIZ300DT-T1-GE3

Hojas de datos : SIZ300DT-T1-GE3.pdf

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