PHD18NQ10T,118 - MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Número de pieza del fabricante

PHD18NQ10T,118

Número interno de parte

ABC-PHD18NQ10T,118

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

45721 Pieces

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Especificaciones para PHD18NQ10T,118

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PHD18NQ10T,118

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 633pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 79W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PHD18NQ10T,118

Hojas de datos : PHD18NQ10T,118.pdf

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