FDN5618P_G - INTEGRATED CIRCUIT

Número de pieza del fabricante

FDN5618P_G

Número interno de parte

ABC-FDN5618P_G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

INTEGRATED CIRCUIT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

40937 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDN5618P_G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDN5618P_G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.25A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 430pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SuperSOT-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDN5618P_G

Hojas de datos : FDN5618P_G.pdf

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