IXFJ20N85X - MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Número de pieza del fabricante

IXFJ20N85X

Número interno de parte

ABC-IXFJ20N85X

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

80176 Pieces

Precio de referencia

~~USD 4.665~~

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Especificaciones para IXFJ20N85X

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFJ20N85X

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Serie : HiPerFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 850V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1660pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 110W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : ISO TO-247-3

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXFJ20N85X

Hojas de datos : IXFJ20N85X.pdf

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