APT1002RBNG - MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Número de pieza del fabricante

APT1002RBNG

Número interno de parte

ABC-APT1002RBNG

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

79407 Pieces

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Especificaciones para APT1002RBNG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APT1002RBNG

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Serie : POWER MOS IV®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1800pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 240W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247AD

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para APT1002RBNG

Hojas de datos : APT1002RBNG.pdf

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