FDG410NZ - MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6

Número de pieza del fabricante

FDG410NZ

Número interno de parte

ABC-FDG410NZ

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4173456 Pieces

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Especificaciones para FDG410NZ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDG410NZ

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.2A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 535pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 420mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SC-88 (SC-70-6)

Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDG410NZ

Hojas de datos : FDG410NZ.pdf

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