IRF5800TR - MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Número de pieza del fabricante

IRF5800TR

Número interno de parte

ABC-IRF5800TR

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

104256 Pieces

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Especificaciones para IRF5800TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF5800TR

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 535pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Micro6™(TSOP-6)

Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRF5800TR

Hojas de datos : IRF5800TR.pdf

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