FDS5690-NBBM009A - MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

FDS5690-NBBM009A

Número interno de parte

ABC-FDS5690-NBBM009A

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

80320 Pieces

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Especificaciones para FDS5690-NBBM009A

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDS5690-NBBM009A

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1107pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDS5690-NBBM009A

Hojas de datos : FDS5690-NBBM009A.pdf

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